Intel изучает DRAM над процессором и XBM без промежуточного кремниевого слоя

Intel дала понять, что может снова выйти на рынок памяти, и сразу показала, куда смотрит дальше: компания изучает архитектуру, в которой DRAM размещается вертикально над процессором. Лип-Бу Тан (Lip-Bu Tan) заявил, что память становится ключевым компонентом будущих чипов, а не внешним дополнением к ним.

По словам Тана, этот сдвиг особенно важен для ИИ-задач, где данные постоянно перемещаются между процессорами и накопителями. Чтобы усилить направление передовой памяти и корпусирования, Intel привлекла бывшего генерального директора SK hynix Сок-Хи Ли (Seok-Hee Lee).

Одна из схем, которую рассматривает Intel, — вертикальное размещение DRAM над процессором. Такой подход должен сократить путь передачи данных и увеличить ширину интерфейса, но у него есть и очевидные минусы: компания прямо признаёт проблемы с охлаждением и выходом годных чипов. Отдельно Intel описала в патенте технологию XBM, которая позволяет обойтись без промежуточного кремниевого слоя, который используется в традиционной HBM, и, по оценке компании, может снизить стоимость решения.

При этом Intel не планирует возвращаться к массовому производству DRAM. Вместо этого компания хочет сосредоточиться на интеграции памяти и корпусировании для будущих продуктов, чтобы выделить Xeon, Core и ускорители на фоне конкурентов.

Сможет ли Intel выделиться на рынке без массового производства DRAM, делая ставку только на интеграцию и упаковку?