Анонсирован TDIMM — стандарт памяти с пропускной способностью 281 ГБ/с

В сфере высоких технологий появилась информация о разработке нового открытого стандарта для модулей оперативной памяти. Речь идет о спецификации TDIMM, которая, как заявляют ее создатели, способна существенно повысить производительность систем искусственного интеллекта и крупных дата-центров.

Основное преимущество новинки — значительный рост скорости передачи данных, модули памяти формата TDIMM, построенные на основе технологии DDR5, смогут обеспечивать пропускную способность до 281 ГБ/с, что в несколько раз выше, чем могут предложить распространенные сегодня модули RDIMM. Такой скачок производительности стал возможен благодаря изменению архитектуры. Разработчики расширили шину данных и перешли на новый разъем с большим количеством контактов, при этом, что немаловажно, физические размеры модулей остались сопоставимыми с нынешними образцами.

Еще одна ключевая особенность TDIMM — повышенная емкость, так в базовой версии модуль будет предлагать 256 ГБ, а в максимальной конфигурации его объем может достигать 1 ТБ. Разработчики также поделились долгосрочными планами и согласно дорожной карте, к 2028 году потенциал стандарта может быть еще больше раскрыт, что позволит говорить о пропускной способности на уровне терабайт в секунду.

Впрочем, пока проект существует на уровне анонса, а его дальнейшая судьба будет зависеть от того, найдет ли он поддержку среди других игроков рынка и сможет ли компания-разработчик перейти от концепции к серийным поставкам. Успех этой инициативы определит ее реальное влияние на стремительно развивающуюся индустрию искусственного интеллекта.

Ранее стало известно о подготовке другого нового стандарта — CQDIMM, который также нацелен на увеличение плотности памяти, но для настольных PC. Ожидается, что он позволит использовать модули DDR5 объемом до 128 ГБ, что может найти поддержку в будущих процессорах Intel. Таким образом, тренд на рост емкости и пропускной способности оперативной памяти набирает обороты одновременно на нескольких фронтах, хотя реальное влияние этих разработок станет ясно лишь по мере их выхода на рынок.