Biwin запустила модули памяти CUDIMM DDR5 с разгоном до 9200 МТ/с
Китайская компания Biwin представила новые модули памяти CUDIMM DDR5, обеспечивающие стабильный разгон до 9200 МТ/с. Модели DW100 CUDIMM DDR5 имеют объём 48 ГБ в двухканальном комплекте (2×24 ГБ), низкие задержки CL42 и работают на высокой скорости благодаря встроенному тактовому генератору.
Модули построены на 10-слойном текстолите и оснащены асимметричным алюминиевым радиатором с электрофоретическим покрытием. Это покрытие обеспечивает дополнительное охлаждение и защиту от перегрева, что критично для высокоскоростной работы памяти.
О цене и точной дате начала продаж пока ничего не сообщается, однако ожидается, что новинки появятся в продаже в четвёртом квартале этого года по среднерыночной цене. Biwin обещает, что новые модули будут конкурировать с аналогичными предложениями от других производителей, таких как V-Color и Asgard.
-
SK hynix стремится увеличить производительность HBM памяти в 30 раз
-
Samsung и TSMC объединяются для разработки новой памяти HBM4
-
Samsung запускает массовое производство QLC V-NAND памяти 9-го поколения
-
V-Color представила инновационную оперативную память DDR5 CUDIMM
-
ADATA представила линейку памяти XPG Lancer Neon RGB DDR5