SK hynix стремится увеличить производительность HBM памяти в 30 раз
Южнокорейская компания SK hynix, один из крупнейших мировых производителей HBM памяти, планирует значительно увеличить её производительность, доведя этот показатель до 30-кратного уровня по сравнению с текущими возможностями. Об этом на недавнем отраслевом мероприятии в Сеуле заявил вице-президент компании Рю Сон Су (Sungsoo Ryu). По его словам, разработка новой памяти, которая будет превосходить существующие образцы в 20-30 раз, станет ключевым направлением деятельности SK hynix в ближайшие годы.
Кроме того, компания намерена уделять особое внимание кастомизации своей продукции, адаптируя её под нужды крупных клиентов. Ожидается, что уже в рамках следующего поколения HBM4 компания сможет предложить решения, максимально соответствующие специфическим требованиям заказчиков. Хотя представители компании не уточнили, когда именно произойдёт этот технологический прорыв, они выразили уверенность, что память HBM будет оставаться востребованной на рынке, несмотря на возможные изменения в отрасли искусственного интеллекта.
-
SK hynix представляет новые SSD на основе памяти 4D NAND
-
SK hynix объявила о выпуске первых в мире чипов DDR5 на техпроцессе 1c
-
Neo Semiconductor представила революционную память 3D X-AI, способную заменить GPU в ИИ-системах
-
MSI показала прототип памяти CAMM2 и первые результаты тестов
-
SK hynix увеличит цены на DDR5-память из-за смещения акцентов производства