Samsung запускает массовое производство QLC V-NAND памяти 9-го поколения

Компания Samsung Electronics начала серийное производство вертикальной NAND-памяти QLC V-NAND 9-го поколения. Спустя всего четыре месяца после выхода версии TLC, компания расширяет линейку передовых решений для хранения данных, предлагая потребителям более эффективные и надежные технологии.

Новое поколение памяти, ёмкостью 1 Тбит, будет использоваться в широком спектре продуктов, начиная от потребительских устройств и заканчивая SSD для ПК и серверов. Среди ключевых технологических прорывов Samsung — технология травления каналов Channel Hole Etching, позволившая добиться наибольшего числа слоёв в индустрии, а также повышение плотности битов на 86 % по сравнению с предыдущим поколением.

Кроме того, память обладает улучшенной скоростью записи, увеличенной на 60 % и сниженным энергопотреблением, что делает её идеальной для решения сложных задач, связанных с ИИ и облачными сервисами.