Samsung представила UFS 5.0 с чтением до 10,8 ГБ/с — вдвое быстрее UFS 4.1

Samsung представила стандарт встроенной флеш-памяти UFS 5.0, который разработан для смартфонов, носимых гаджетов и XR-гарнитур с поддержкой локальных AI-функций. По данным официального пресс-релиза Samsung, новый чип позволит запускать большие языковые модели и обрабатывать крупные наборы данных непосредственно на устройстве, без подключения к облаку.

UFS 5.0 обеспечивает последовательную скорость чтения до 10,8 ГБ/с и записи до 9,5 ГБ/с, что более чем вдвое превышает показатели предыдущего стандарта UFS 4.1 и делает новинку самым быстрым решением в индустрии на сегодняшний день.

Одним из ключевых преимуществ UFS 5.0 стала энергоэффективность: по сравнению с UFS 4.1 она увеличилась на 40%. Такой результат достигается благодаря технологиям clock gating (отключение неиспользуемых участков схемы) и многовольтовой архитектуре, что особенно важно для мобильных устройств с ограниченной ёмкостью аккумулятора.

Корпус нового чипа стал компактнее — его размеры составляют 7,5 × 13 × 0,9 мм, что на 16,7% меньше по сравнению с предыдущим поколением. Максимальный объём памяти в новых модулях достигнет 1 ТБ, что позволит хранить и обрабатывать значительно больше данных непосредственно на устройстве. UFS 5.0 будет поддерживаться будущими топовыми процессорами, включая Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 6, MediaTek Dimensity 9600 Pro и Samsung Exynos 2700. Кроме того, чип поддерживает новейший стандарт интерфейса памяти JEDEC, что гарантирует совместимость с современными платформами.

Samsung планирует начать массовое производство UFS 5.0 в четвёртом квартале 2026 года. Первые устройства с новым стандартом появятся не раньше следующего года, а реальные показатели скорости и энергоэффективности покажут только тесты на серийных устройствах.

Samsung обещает более чем двукратный прирост скорости и энергоэффективности, но смогут ли будущие смартфоны реализовать этот потенциал на практике? Делитесь мнением в комментариях