Samsung разогнала память до 4 ТБ/с: представлена HBM4E для новых чипов NVIDIA

На конференции GTC 2026, которая проходит в эти дни, Samsung представила несколько новых решений в области памяти. Главным анонсом стала память следующего поколения HBM4E, разработка которой велась с учётом требований будущих ускорителей NVIDIA, в частности архитектуры Rubin Ultra.

Новая HBM4E предлагает скорость ввода-вывода до 16 Гбит/с на контакт, а пропускная способность одного стека достигает 4 ТБ/с, при этом за счёт использования 16-слойной компоновки удалось добиться ёмкости 48 ГБ на стек. В конфигурации Rubin Ultra, построенной на новой архитектуре NVIDIA, которая предполагает использование 16 таких стеков, суммарный объём памяти составит 384 ГБ, а совокупная пропускная способность до 64 ТБ/с, текущее поколение HBM4, по заявленным ранее данным, обеспечивает до 22 ТБ/с при 288 ГБ.

Кроме того, инженеры Samsung продемонстрировали технологию гибридного медного соединения (HCB). Этот метод позволяет создавать стеки из 16 и более слоёв памяти и одновременно снижает тепловое сопротивление более чем на 20% по сравнению с традиционным термокомпрессионным соединением. В условиях высоких нагрузок ИИ-систем это должно улучшить отвод тепла и стабильность работы.

Параллельно с HBM4E компания показала модули SOCAMM2 на базе LPDDR5X. Они предназначены для серверов и инфраструктуры ИИ, где важна энергоэффективность при высокой пропускной способности. SOCAMM2 уже запущены в массовое производство и по словам представителей Samsung, это первое подобное решение, достигшее промышленного выпуска. Не обошлось и без твердотельных накопителей. Новая модель PM1763 использует интерфейс PCIe 6.0 и ориентирована на системы ИИ. На стенде компании можно увидеть демонстрацию работы этих SSD в связке с архитектурой хранения данных NVIDIA BlueField-4 STX.

Для мобильного сегмента Samsung привезла память LPDDR5X и LPDDR6. У первой заявлена скорость до 25 Гбит/с на контакт и снижение энергопотребления на 15% по сравнению с предшественниками, а вторая обещает 30–35 Гбит/с на контакт и дополнительные механизмы управления питанием, такие как адаптивное масштабирование напряжения. Производитель рассчитывает, что эти решения найдут применение в смартфонах, планшетах и носимой электронике.

Как вы думаете, сможет ли новая память HBM4E удовлетворить потребности будущих ИИ-систем, или требования к пропускной способности будут расти еще быстрее? Делитесь мнением в комментариях.