Учёные создали флешку с плотностью записи 1,9 Тбайт на см² из неиспользуемого ранее материала

Международная группа учёных совершила прорыв в области технологий хранения данных, создав флешку на основе нанопроволоки из теллура. Это новое устройство демонстрирует рекордную плотность записи данных, превышающую 1,9 Тб на см² и открывает перспективы для создания энергонезависимой памяти следующего поколения.

Уникальность разработки заключается в использовании сегнетоэлектрического эффекта в однокомпонентном материале — теллуре. Этот эффект ранее был известен только теоретически, однако исследователи продемонстрировали его в практике, используя нанопроволоку теллура. Сегнетоэлектрические материалы обладают способностью накапливать электрический заряд, который сохраняется даже после отключения питания, что идеально подходит для устройств с энергонезависимой памятью.

Созданный учёными сегнетоэлектрический полевой транзистор (SF-FET) сочетает в себе свойства сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов. Это устройство отличается высокой скоростью переключения (менее 20 нс), отличной сохранностью данных и впечатляющей плотностью записи. В дальнейшем такие транзисторы могут сыграть ключевую роль в создании нейроморфных вычислительных систем, имитирующих работу человеческого мозга, а также в снижении энергопотребления электронных устройств.

Этот прорыв в области нанотехнологий имеет потенциал для кардинальных изменений в устройствах памяти, а также в системах искусственного интеллекта, обеспечивая их более высокую производительность и энергоэффективность.