Одна планка на 512 ГБ: Micron показала оперативную память будущего для серверов
Micron Technology сообщила о завершении разработки и демонстрации первого в отрасли модуля оперативной памяти DDR5 RDIMM объемом 512 ГБ. Ключевая особенность новинки — сочетание рекордной для одного модуля емкости со скоростью передачи данных до 9200 МТ/с. Ожидается, что серийное производство начнется во второй половине 2027 года, после завершения всех этапов валидации у партнеров.
Достичь таких показателей удалось за счет применения передовой технологии вертикальной компоновки кристаллов DRAM с использованием сквозных кремниевых переходных отверстий (TSV). Этот метод предполагает вертикальное соединение нескольких кристаллов памяти внутри одного корпуса, что позволяет максимизировать плотность без увеличения физических размеров самого модуля.
Практическая польза от такого подхода очевидна для серверных систем. В стандартном двухпроцессорном сервере с 24 слотами для памяти установка новых модулей позволяет довести общий объем оперативной памяти DDR5 до 12 ТБ, что открывает возможность работать с более крупными наборами данных непосредственно в оперативной памяти, снижая потребность в постоянном обращении к более медленным накопителям.
Помимо увеличения емкости, Micron делает акцент на энергоэффективности, так согласно предоставленным данным, один модуль на 512 ГБ потребляет более чем на 60% меньше энергии по сравнению с четырьмя модулями RDIMM по 128 ГБ, которые вместе обеспечивают аналогичный объем памяти. В абсолютных цифрах энергопотребление одного нового модуля составляет около 16 Вт против примерно 44 Вт для четырех стандартных модулей, что в пересчете на гигабайт дает значительную экономию.
В плане производительности Micron заявляет о повышении скорости работы в определенных сценариях. Например, в задачах анализа данных на базе Spark с использованием метода опорных векторов (SVM) новый 512-гигабайтный модуль демонстрирует до 1,4 раза более высокую производительность по сравнению с конфигурациями на основе модулей DDR5 объемом 256 ГБ. Также отмечается улучшение пропускной способности и возможностей параллельной обработки для таких популярных платформ управления базами данных и кэширования, как Redis и RocksDB.
На данный момент модуль проходит проверку на совместимость с будущими серверными платформами. Ведущие производители процессоров, AMD и Intel, уже активно участвуют в этом процессе. Представители обеих компаний подтвердили свое сотрудничество с Micron, отметив важность увеличения объема и пропускной способности памяти для удовлетворения растущих потребностей центров обработки данных, особенно в связи с распространением задач искусственного интеллекта и аналитики больших данных.
Как вы считаете, насколько быстро такие сверхъемкие модули памяти станут стандартом для дата-центров, или их массовое внедрение затянется из-за высокой стоимости? Поделитесь своим мнением в комментариях.
-
На Samsung, SK hynix и Micron подали коллективный иск из-за сговора и дефицита оперативной памяти -
Samsung, Micron и SK Hynix распродали весь объём памяти на 2027 год -
Китай может спасти рынок памяти: пока Samsung и Micron бегут за ИИ, DDR5 и SSD остаются без чипов -
Обычная DRAM принесёт Micron больше прибыли, чем HBM: маржа 95% против 75–78% -
Купить память дешевле будет всё сложнее: Micron уже забронировала поставки до 2030 года

