Раньше чипы использовали рабочую область/канал транзистора под поверхностью чипа. Потом появился FinFET, в котором кремниевый канал в виде плавника (fin) наращивают над поверхностью, а поперёк идут несколько проводников gate огибая плавник через изолятор в несколько атомов. Чем быстрее нужен транзистор тем больше каналов нужно сделать больше ток через транзистор). Минимум 1, максимум 3/4/5.
Новая структура PowerVIA позволяет разместить подвод питания снизу транзисторов, затем создать кремний канала транзистора, а выше разместить сигнальные проводники. Это увеличивает плотность компоновки транзисторов, так как места для подвода проводников в 2 раза больше (с двух сторон).

Ранее менеджеры Intel заявляли, что игровые процессоры не являются их приоритетом. Рынок мал.
Размер добавляемого кэша будет зависеть от того сколько игроки готовы заплатить за него дополнительно. Возможно Intel сможет масштабировать кэш сделанный с меньшим техпроцессом. Пока что кэш 3/4го уровня изготавливают отдельно по техпроцессу 5нм-6нм. Размер ячеек не падает при уменьшении техпроцесса TSMC.