Будущее оперативки — уже на горизонте: NEO Semiconductor показала 3D X-DRAM

Американская компания NEO Semiconductor представила три новых подхода к созданию оперативной памяти, которые могут изменить стандарты производительности и энергоэффективности в индустрии. Речь идёт о линейке 3D X-DRAM, включающей ячейки 1T1C, 3T0C и 1T0C, сочетающие элементы архитектуры 3D NAND и материалы на основе оксидов металлов.

По заявлению разработчика, ключевым преимуществом технологии стала плотность чипов — до 512 Гбит, что в десять раз превышает показатели современных DRAM. Это достигнуто за счёт вертикального расположения ячеек, аналогичного методам, используемым в производстве 3D NAND. Кроме того, применение транзисторов с каналами из IGZO (оксид индия-галлия-цинка) позволило увеличить скорость передачи данных до 10 наносекунд и сократить энергопотребление.

Особый интерес вызывает возможность снижения нагрузки на энергосистему: благодаря увеличенному времени удержания заряда (до 450 секунд) новые ячейки требуют меньше циклов обновления. Это критически важно для центров обработки данных и устройств с ограниченным питанием. Технология 3T0C, исключающая конденсаторы, ориентирована на задачи ИИ, тогда как 1T1C сохраняет совместимость с текущими стандартами DRAM. При этом производственный процесс модифицирован минимально, что упрощает интеграцию в существующие линии.

Пока проект остаётся на стадии симуляций: первые тестовые образцы ожидаются к 2026 году. Компания планирует представить разработку на IEEE International Memory Workshop в мае 2025 года. Несмотря на потенциал, крупные игроки рынка, такие как Samsung или SK Hynix, пока не проявили публичного интереса к технологии. Однако в условиях растущего спроса на высокопроизводительную память для нейросетей и сложных вычислений, решения NEO Semiconductor могут стать востребованными в ближайшие годы.