Скорость и энергонезависимость: Samsung представила память нового поколения
Samsung анонсировала инновационную память под названием Selector-Only Memory (SOM), которая обещает изменить представление о высокоскоростной и энергонезависимой памяти. Новая технология объединяет скорость чтения и записи, сопоставимую с DRAM и возможность масштабирования, что делает ее перспективной для множества приложений. Таким образом, SOM сочетает в себе свойства оперативной памяти (RAM) и твердотельных накопителей (SSD).
Основой SOM стала уникальная перекрестная архитектура, напоминающая принципы работы памяти с изменением фазы и резистивной памяти (RRAM). Вместо традиционных подходов с использованием транзисторов или диодов, Samsung сфокусировалась на материалах на основе халькогенидов, что позволяет интегрировать функции селектора и памяти в одном устройстве. Этот шаг обеспечил значительное улучшение стабильности и производительности.
Специалисты Samsung представят свои достижения на Международном собрании электронных приборов (IEDM), которое пройдет с 7 по 11 декабря в Сан-Франциско. SOM может стать не только альтернативой существующим технологиям, но и задать новые стандарты для будущих решений в области памяти, сочетая в себе лучшие качества оперативной и флэш-памяти.
-
Samsung представляет 24-гигабитную память GDDR7 для графики будущего
-
Samsung обеспечит большую доступность QD-OLED матриц благодаря переработке чернил
-
Neo Semiconductor представила революционную память 3D X-AI, способную заменить GPU в ИИ-системах
-
Micron запускает память с рекордной пропускной способностью для ИИ
-
Цены на память GDDR6 падают до рекордных значений