Intel анонсировала ZAM — новую энергоэффективную альтернативу HBM

Intel объявила о стратегическом партнёрстве с японской группой SoftBank и в рамках данного сотрудничества компания впервые с 1985 года займётся выпуском модулей памяти, разрабатывая принципиально новую технологию под названием Z-Angle Memory (ZAM). Партнёрство нацелено на решение растущего дефицита памяти, так как SoftBank создаёт в Японии масштабную инфраструктуру центров обработки данных для ИИ-задач, и новая память должна стать для неё ключевым компонентом.

Технология Z-Angle Memory позиционируется как альтернатива стандарту HBM. Её главное отличие — особая топология соединений, где вместо традиционных вертикальных межсоединений в ZAM используется Z-образная (диагональная или ступенчатая) компоновка. По предварительным данным, это позволяет разместить на кристалле до 512 ГБ, что в 2-3 раза превышает возможности существующих решений HBM.

Ожидается, что ZAM будет потреблять на 40–50% меньше энергии и может быть дешевле в производстве благодаря инновационной схеме соединений и использованию гибридной медной сборки. Для интеграции с процессорами будет применяться фирменная технология Intel EMIB (Embedded Multi-Die Interconnect Bridge), снижающая задержки.

Этот проект стал частью инициативы Advanced Memory Technology (AMT), поддержанной Министерством энергетики США. Для Intel это знаковое возвращение в бизнес модулей памяти, который компания покинула почти 40 лет назад, столкнувшись с жёсткой конкуренцией.

Первые прототипы памяти Z-Angle Memory, согласно планам, должны быть готовы ориентировочно в 2028–2029 году.