SK Hynix показала прототип памяти HBM4 с рекордной производительностью

На проходящей в США выставке SC25 компания SK Hynix продемонстрировала ряд своих разработок, среди которых новая память и SSD. Центральным событием стал показ готового прототипа памяти HBM4 с 12-слойной структурой.

Этот тип памяти считается следующим эволюционным шагом после активно используемого сегодня HBM3. Инженерам компании удалось не только увеличить количество слоев, но и вдвое нарастить количество каналов ввода-вывода — до 2048. На практике такой подход дает значительный прирост в скорости обмена данными между памятью и процессором, при этом, по заверениям разработчиков, новинка потребляет на 40% меньше энергии по сравнению с актуальными решениями.

Параллельно с перспективной разработкой компания показала и текущий флагман — память HBM3E, также выполненную по 12-слойной технологии. В дополнение к памяти HBM, SK Hynix анонсировала прогресс в области оперативной памяти DDR5. Особое внимание привлекают модули MRDIMM объемом 256 ГБ, ключевая задача которых, обеспечить стабильную и быструю работу современных дата-центров, где вопросы энергопотребления и надежности выходят на первый план.

Не осталась без новинок и линейка накопителей, так среди представленных моделей выделяется SSD PS1101 с емкостью 245 ТБ, созданный на основе 321-слойной флеш-памяти QLC. Вся представленная продукция поддерживает современные интерфейсы PCIe 4.0 и 5.0, а для различных задач предлагаются модели в форм-факторах E3.S, M.2, U.2 и даже SATA.

Представленные на SC25 продукты подтверждают стратегический курс SK Hynix на укрепление позиций в сегменте решений для высокопроизводительных вычислений и искусственного интеллекта, где аппетиты к скорости и объему памяти продолжают неуклонно расти.