Крупнейшие производители DRAM — Samsung Electronics, SK Hynix и Micron — готовятся к масштабным изменениям на рынке оперативной памяти. По данным отраслевых источников, к концу 2025 года они могут полностью прекратить производство модулей DDR3 и DDR4, сосредоточившись на выпуске DDR5 и памяти с высокой пропускной способностью (HBM).
Отказ от устаревших стандартов памяти может привести к нехватке DDR3 и DDR4 уже во второй половине 2025 года. Аналитики отмечают, что после остановки производства запасы этих модулей окажутся под давлением, а основные поставки будут зависеть от тайваньских производителей, таких как Nanya Technology и Winbond. Однако даже они не смогут в полной мере компенсировать возможный дефицит.
Основной причиной отказа от DDR3 и DDR4 стало изменение приоритетов индустрии. Крупные производители переориентируются на выпуск высокоскоростных модулей памяти, востребованных в сегментах серверных решений, искусственного интеллекта и облачных вычислений. В связи с этим Winbond намерена перейти на 16-нм техпроцесс, что позволит ей выпускать 8-гигабитные чипы памяти.
По прогнозам Nanya Technology, рынок DRAM достигнет минимума в первой половине 2025 года, после чего начнётся восстановление благодаря росту спроса и улучшенному управлению запасами. В перспективе основное внимание будет уделяться DDR5 и HBM, которые обеспечивают более высокую пропускную способность и энергоэффективность.
Хотя Samsung и SK Hynix намерены сосредоточиться на выпуске передовых модулей памяти, другие производители, включая китайскую CXMT, могут занять их место на рынке DDR4. Однако эксперты сомневаются, что это позволит полностью компенсировать отказ крупнейших игроков от старых стандартов. Таким образом, переход на DDR5 становится неизбежным, а пользователи, зависящие от DDR3 и DDR4, могут столкнуться с ростом цен и ограниченной доступностью модулей в ближайшие годы.