Компания Micron раскрыла амбициозные планы на ближайшее будущее в области производства высокоскоростной памяти. В рамках квартального отчета было анонсировано, что в 2026 году начнется массовое производство памяти HBM4, а вскоре после этого — и усовершенствованной версии HBM4E. Ключевое отличие последней — возможность кастомизации базового кристалла, что откроет новые горизонты для крупных заказчиков.
Базовый кристалл памяти HBM4E будет оснащен необходимой логикой для работы с памятью и станет гибким инструментом для клиентов, позволяя интегрировать новые интерфейсы, увеличивать кеш или добавлять функции шифрования данных. Micron будет работать с передовым производственным процессом TSMC, что позволит повысить гибкость и производительность устройства.
В ближайшие годы компания будет конкурировать с такими гигантами, как SK hynix и Samsung, которые тоже активно разрабатывают новые поколения HBM. Уже в 2026 году Micron планирует начать массовое производство HBM4 с максимальной пропускной способностью 6,4 гигатранзакций в секунду и поддержкой 2048-разрядной шины. Это позволит памяти HBM4 значительно улучшить показатели по сравнению с предыдущим поколением.
Кроме того, в рамках перехода на новые технологии, Micron активизирует работы по интеграции памяти и логических полупроводников в едином корпусе, что обеспечит более эффективную производительность. Интеграция этой технологии ожидается в таких масштабных проектах, как архитектура NVIDIA Rubin AI и линейка AMD Instinct MI400.