Samsung анонсировала инновационную память под названием Selector-Only Memory (SOM), которая обещает изменить представление о высокоскоростной и энергонезависимой памяти. Новая технология объединяет скорость чтения и записи, сопоставимую с DRAM и возможность масштабирования, что делает ее перспективной для множества приложений. Таким образом, SOM сочетает в себе свойства оперативной памяти (RAM) и твердотельных накопителей (SSD).
Основой SOM стала уникальная перекрестная архитектура, напоминающая принципы работы памяти с изменением фазы и резистивной памяти (RRAM). Вместо традиционных подходов с использованием транзисторов или диодов, Samsung сфокусировалась на материалах на основе халькогенидов, что позволяет интегрировать функции селектора и памяти в одном устройстве. Этот шаг обеспечил значительное улучшение стабильности и производительности.
Специалисты Samsung представят свои достижения на Международном собрании электронных приборов (IEDM), которое пройдет с 7 по 11 декабря в Сан-Франциско. SOM может стать не только альтернативой существующим технологиям, но и задать новые стандарты для будущих решений в области памяти, сочетая в себе лучшие качества оперативной и флэш-памяти.
Дело приближается к универсальному типу памяти с высокой скоростью и одновременной энергонезависмостью. Если случиться, это изменит принцип архитектуры компьютеров. Оперативная память больше будет не нужна. Её функции будет выполнять одна постоянная энергонезависимая. Так надо понимать?