SK hynix запускает массовое производство 12-слойной памяти HBM3E ёмкостью 36 Гб

SK hynix сделала прорыв в области технологий памяти, начав массовое производство 12-слойной HBM3E, ёмкость которой достигает 36 Гбайт. Это самый современный и ёмкий вариант памяти среди доступных на рынке. Компания планирует начать поставки уже в этом году и среди клиентов, вероятно, окажется Nvidia, которая активно использует HBM для своих графических процессоров.

В пресс-релизе SK hynix отмечается, что уменьшение толщины чипов DRAM в каждом слое на 40% позволило значительно увеличить объём памяти — на 50% по сравнению с предшествующим поколением, которое включало 8 слоёв и предлагало 24 Гбайт. При этом высота стека осталась неизменной, что позволяет использовать новые модули в тех же пространствах, где применялись предыдущие версии. Более того, улучшенные теплопроводные характеристики обеспечивают на 10% более эффективное охлаждение, что особенно важно для мощных вычислительных систем, таких как графические процессоры и ускорители вычислений.

Скорость передачи данных в 12-слойных стеках HBM3E достигает впечатляющих 9,6 Гбит/с, что позволит значительно ускорить работу графических процессоров и вычислительных ускорителей, использующих эту память. Ожидается, что первые партии новой памяти начнут поступать клиентам уже к концу текущего года, что может изменить расстановку сил на рынке высокопроизводительных вычислительных систем.