Американский стартап NEO Semiconductor представил архитектуру памяти X-HBM, которая по заявленным характеристикам значительно превосходит даже перспективные разработки конкурентов, запланированные на 2030-2040 годы. Основной прорыв X-HBM заключается в радикальном увеличении пропускной способности и плотности хранения данных.
Архитектура использует 32K-bit шину данных и обеспечивает плотность до 512 гигабит на один кристалл. Для сравнения: ожидаемая к 2030 году память HBM5 будет иметь лишь 4K-битную шину и плотность около 40 Гбит/кристалл. Даже прогнозируемая HBM8 (ориентировочно 2040 год) отстает с показателями 16K-bit и 80 Гбит.
Ключевые особенности:
Однако, несмотря на впечатляющие анонсы, NEO Semiconductor пока не сообщает о заключенных контрактах или интересе крупных производителей чипов или памяти к запуску X-HBM в серию. Индустрия, как отмечают наблюдатели, традиционно осторожно относится к революционным, но не проверенным в массовом производстве решениям, где ключевыми факторами остаются надежность и себестоимость.
Архитектура X-HBM была детально представлена на саммите FMS, который стартовал 5 августа 2025 года. Технология открывает теоретическую возможность для скачка в производительности систем ИИ, но ее практическая реализация и коммерческий успех станут ясны только при поддержке индустриальных партнеров.