Компании Ferroelectric Memory Co. (FMC) и Neumonda начали сотрудничество для выпуска энергонезависимой памяти DRAM+. Разработка сочетает скорость классической DRAM с возможностью сохранять данные без питания, характерной для SSD.
Основой технологии стал ферроэлектрический оксид гафния (HfO₂), который заменил традиционные конденсаторы в ячейках памяти. Это позволило сохранить высокую производительность DRAM, но устранило необходимость постоянной подачи энергии для удержания информации. Ранее похожие решения использовали титанат цирконата свинца (PZT), однако они не подходили для современных микросхем из-за сложностей миниатюризации и высокой стоимости интеграции в производственные процессы.
HfO₂, в отличие от PZT, совместим со стандартными полупроводниковыми технологиями, включая техпроцессы менее 10 нм. Это открывает путь к созданию чипов объёмом в несколько гигабайт, что делает DRAM+ конкурентом обычной памяти по плотности размещения данных. Для тестирования новинки Neumonda предоставит специализированные платформы Rhinoe, Octopus и Raptor. Они отличаются низким энергопотреблением и способностью проводить детальный анализ, недоступный для стандартного оборудования.
Первыми сферами применения DRAM+ могут стать автомобильная электроника, медицинские устройства и системы машинного обучения. Разработчики подчёркивают, что технология не требует перестройки существующих производственных линий, что упростит её внедрение.