Новости Micron анонсировала новую DDR5-9200 — революцию в DRAM с применением EUV-литографии

Micron анонсировала новую DDR5-9200 — революцию в DRAM с применением EUV-литографии

DoubleA
Читать в полной версии

Компания Micron Technology представила свою новейшую DDR5 микросхему, изготовленную по технологии 1γ с использованием EUV-литографии — первый такой опыт для компании. Новая 16-гигабитная (2 ГБ) DRAM демонстрирует скорость передачи данных до 9200 МТ/с при стандартном напряжении 1,1 В, что значительно превосходит базовые требования современных стандартов.

Новое изделие отличается не только повышенной тактовой частотой, но и улучшенными энергетическими характеристиками. По сравнению с предыдущей версией, выполненной по технологии 1β, новая микросхема потребляет на 20% меньше энергии и обладает на 30% большей плотностью бит, что может привести к снижению себестоимости производства при достижении оптимальных выходов. Несмотря на то, что скорость 9200 МТ/с выходит за рамки типичных спецификаций DDR5, Micron уверяет, что чип полностью соответствует стандартам JEDEC. Такой подход позволяет не только удовлетворить существующие требования, но и заложить основу для совместимости с будущими процессорами.

На текущем этапе компания отгружает образцы новой памяти избранным партнёрам для проведения всестороннего тестирования. Завершение квалификационных испытаний ожидается в конце квартала, а запуск массового производства намечен на середину 2025 года. Технология 1γ, впервые внедрившая EUV-литографию в производство, совмещает в себе традиционные методы многошаблонного DUV-процесса с новейшими разработками, такими как высокодиэлектрические металлические затворы и усовершенствованная архитектура межсоединений (BEOL).

Micron не собирается останавливаться на достигнутом — в планах компании дальнейшее использование технологии 1γ для создания новых продуктов, включая решения для графических карт (GDDR7) и мобильных устройств (LPDDR5X с частотой до 9600 МТ/с). Такой стратегический шаг позволит Micron укрепить свои позиции на рынке памяти, предлагая инновационные решения как для высокопроизводительных систем, так и для энергоэффективных мобильных устройств.

🌚 Открытие дня: тёмная тема на смартфонах «садит батарею» быстрее, чем светлая — и в этом виноваты мы сами
Комментарии 1
Оставить комментарий
15 минут
Обычно, к концу своего жизненного цикла, выходила во всех отношениях идеальная память на самых максимально возможных частотах и минимальных таймингах и задержках для стабильной работы.
для DDR4 это были планки на 4800MHz с задержками 18-22-22-44, ну а для DDR5 уже 10600MHz разгоняют.
Потому, максимально оптималом, будет как раз 9600MHz при таймингах 36-44-44-75(85). И задержки не более 63нс, а идеале около 49-53нс. к концу 2026 года(а то и раньше), как раз, можно ожидать подобных планок в массовой продаже.
Ответить