Разработанные в MIT нанотранзисторы могут заменить кремниевые

Учёные Массачусетского технологического института (MIT) представили новый тип 3D-транзисторов, которые могут изменить будущее электроники, сделав её более мощной и экономичной. Эти устройства, изготовленные с использованием ультратонких полупроводниковых материалов, способны работать при значительно меньшем напряжении, чем традиционные кремниевые аналоги, что делает их особенно перспективными для энергоёмких приложений, таких как искусственный интеллект.

Основой инновации стал эффект квантового туннелирования, благодаря которому электроны могут проникать через энергетический барьер, а не преодолевать его, как в обычных транзисторах. Это позволяет транзисторам с вертикальными нанопроводами шириной всего несколько нанометров достигать производительности, сопоставимой с кремниевыми решениями, при этом требуя меньше энергии.

Преодолевая так называемую «тиранию Больцмана» — физическое ограничение для кремниевых транзисторов, ученые смогли добиться более крутой кривой переключения и высокой силы тока. Такое достижение открывает перспективы для компактной и энергоэффективной электроники, способной поддерживать высокие вычислительные нагрузки при минимальном потреблении энергии.

Исследователи подчёркивают, что коммерческая реализация этой технологии потребует доработок, однако уже сейчас она демонстрирует прорывные результаты и может со временем заменить кремний в традиционных полупроводниковых процессах.