Samsung планирует значительно расширить возможности своих SSD-накопителей, повысив их ёмкость и скорость записи к 2027 году. Для этого Samsung готова отказаться от традиционной CoP-архитектуры, на смену которой придёт новая технология BV NAND — вертикальное соединение кристаллов. Новый подход предполагает раздельное производство ячеек памяти и управляющих схем, которые затем объединяются в единую структуру. Это обеспечит не только увеличение плотности записи на 60%, но и снижение риска повреждений микросхем, делая накопители более надёжными и производительными.
К 2027 году Samsung планирует вывести на рынок 11-е поколение V-NAND с тысячей слоёв, что, по оценкам, увеличит скорость ввода-вывода данных на 50%. Также компания работает над улучшением DRAM-памяти, переходя на технологию VCT (вертикальные канальные транзисторы), позволяющую создать трёхмерные структуры памяти, которые снизят уровень взаимного влияния ячеек и обеспечат более высокую плотность и скорость работы.
Инновационный подход в производстве V-NAND сулит революцию в области хранения данных: пользователи получат более компактные, быстрые и долговечные устройства уже в ближайшие пару лет.
Логично, все технологии развиваются.