Micron анонсировала выход новой 12-канальной памяти HBM3E объёмом 36 Гб, которая обеспечивает впечатляющую пропускную способность более 1,2 Тб/с. Это решение предназначено для высокопроизводительных систем искусственного интеллекта и центров обработки данных, предлагая значительные преимущества по сравнению с аналогичными продуктами от Samsung и SK Hynix.
С повышенной ёмкостью и высокой скоростью пина, превышающей 9,2 Гбит/с, память Micron HBM3E становится идеальным выбором для обучения моделей ИИ и обработки больших объёмов информации. Более того, она отличается на 30% меньшим энергопотреблением, что делает её более эффективной в использовании. В будущем Micron планирует представить 16-слойную память HBM4 с пропускной способностью до 1,65 Тб/с, что позволит достигать новых высот в области искусственного интеллекта.
Ранее мы писали о том, что Rambus представила новый контроллер памяти HBM4, который обещает значительно повысить скорость и пропускную способность в области технологий памяти.